晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的形成方法”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的形成方法”，专利申请号为CN202510179826.7，授权日为2025年5月9日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过在去除所述中压区的垫氧化层的同时去除高压区的源区和漏区的垫氧化层，而非在刻蚀第二栅氧层时一并去除垫氧化层造成的垫氧化层残留，从而去除了具有鸟嘴缺陷的垫氧化层，即后续在形成栅极结构的刻蚀中在高压区的源区和漏区没有残留的垫氧化层存在，使得后续在高压区的源区和漏区的半导体衬底上形成的金属硅化物层没有受到影响，还没有影响后续在高压区的源区和漏区上形成的插塞与衬底之间的接触，从而没有影响高压器件的电性和可靠性。

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今年以来晶合集成新获得专利授权124个，较去年同期增加了2.48%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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