扬杰科技获得实用新型专利授权：“提高短路耐压的SiCUMOSFET器件”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高短路耐压的SiCUMOSFET器件”，专利申请号为CN202422072734.2，授权日为2025年6月10日。

专利摘要：提高短路耐压的SiCUMOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置为N+衬底层、N?外延层、PW区和正面电极金属层；所述PW区通过多个栅极沟槽区的设置，被分隔成若干区域；每个区域的所述PW区上设有：P+区，从所述PW区的顶面中部向下延伸；N+区，从所述PW区的顶面，沿所述P+区的侧部向下延伸；欧姆接触合金，设置在所述P+区中源极沟槽区的内侧壁；所述栅极沟槽区的内侧壁和槽底分别设有栅氧层；所述栅氧层的底面低于PW区的底面；所述栅氧层上通过Poly层填充栅极沟槽区；本实用新型通过在源区引入沟槽结构，抑制了栅氧化层处的峰值电场，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性问题。

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今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了41.03%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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