捷捷微电：拥有碳化硅相关发明专利5件

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证券之星消息，捷捷微电(300623)01月20日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者：董秘你好。你们与西安电子科技大学关于碳化硅芯片的研究合作是什么时候开始的？研究成果和申请专利的归属权归谁所有？研究成果准备如何进行商业化应用？公司是否有新增碳化硅芯片生产线的计划？
捷捷微电董秘：尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。公司下游客户众多并分散，且应用领域广泛，新能源汽车、光伏及储能等新能源行业市场空间巨大，公司重点拓展汽车电子、电源类及工业类市场，努力提高这几个领域的产品占比，目前在新能源汽车领域应用的产品销售占比正逐步提升。谢谢!

投资者：董秘你好，2026年1月，西电郝跃院士、张进成教授团队在《自然・通讯》和《科学进展》发表突破性成果，首创“离子注入诱导成核”技术，解决了第三代半导体散热核心痛点，将半导体热阻降至原来的1/3，这一突破直接利好捷捷微电的氮化镓器件产业化进程，公司和西安电子科技大学郝跃院士团队的合作还在进行吗谢谢。
捷捷微电董秘：尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。谢谢!

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