晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202511649809.1，授权日为2026年1月30日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差；在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层；减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面；对所述第二器件中的栅极结构上方的所述多晶硅层进行回蚀刻，回蚀刻的距离为所述高度差；去除所述牺牲层，并将剩余的所述多晶硅层氧化。本申请提供的半导体器件及其制造方法，通过对第一器件的栅极高度进行补偿，以降低第一器件和第二器件的栅极高度差异。

今年以来晶合集成新获得专利授权31个，较去年同期增加了158.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1599条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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